势垒

摘要： 针对太阳风等离子体中航天器的充电过程,基于欧洲航天局开发的航天器表面充电仿真软件,建立了航天器的数值计算模型,模拟了太阳风等离子体与航天器的相互作用,实现了不同表面材料时航天器表面电位以及尾迹结构的计算分析,给出了近日环境下航天器周围的空间电位结构以及等离子体密度分布情况。研究结果表明:表面材料的选择将影响空间势垒深度以及尾迹结构,表面充电至更低电位的表面材料具有较小尾迹区域;航天器向阳面电位分布主要由光电子以及二次电子主导,而背阳面的电位分布则主要受到尾迹效应的影响。以上结果对太阳风环境航天器探测和评估等相关工作以及工程研究具有一定的理论参考价值。

摘要： 计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件,150 K下器件暗电流低至3×10^(-6) A/cm^(2),采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流。

摘要： HgCdTe多层异质结技术是未来主流红外探测器发展的重要技术方向,在高工作温度、双/多色和雪崩光电管等高性能红外探测器中扮演着重要的角色。近年来基于多层异质结构的Hg Cd Te高工作温度红外探测器得到了快速发展,尤其是以势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构为主的器件受到了广泛的研究。本文系统介绍了势垒阻挡型和非平衡工作P~+-π(ν)-N~+结构HgCdTe红外探测器的暗电流抑制机理,分析了制约两种器件结构发展的关键问题,并对国内外的研究进展进行了综述。对多层异质结构Hg CdTe红外探测器的发展进行了总结与展望。

摘要： 玻璃作为历史悠久和性能优异的无机非金属材料,用途广泛.只有充分理解并掌握玻璃的形成机理,才能制备出符合要求的玻璃材料.作为无机非金属材料工程专业的方向课程,《玻璃工艺学》教授学生玻璃的结构,形成规律,主要原料与辅助原料等知识点.但是学生对玻璃相关的理论知识学习的积极性不高,尤其在讲解玻璃形成动力学这一知识点时,课堂气氛不够活跃,教学效果不好,无法达到预期的教学目标.本文对《玻璃工艺学》这门课程进行教学改革,以讲解玻璃形成动力学这一知识点为例,探讨激发学生学习兴趣,提高学生学习效果的实现路径,帮助学生理解并掌握与玻璃相关的知识点.

摘要： 采用简单的水热法结合热处理工艺, 制备了高纯、形貌可控的纳米VO2 (M)颗粒, 得到了退火时间对颗粒形貌的影响, 首次揭示了VO2聚乙二醇复合薄膜电致相变过程, 建立了电致相变模型. 实验以V2O5和H2C2O4·2H2O为原料, 经180 °C, 12 h水热处理后, 得到VO2 (B)纳米颗粒, 真空退火转化为VO2 (M). 结果表明, 退火时间越长, 纳米颗粒长度越短. 多次重复测试发现, 复合薄膜在电场作用下, 均能够发生显著的相变现象, 但同一样品的重复相变电压低于第1次测试数据. 在首次测试后, 相变电压和非线性系数随纳米VO2的长度减小而指数增加, 同时发现材料两端电压在相变后可维持在10 V附近. 分析认为, 复合薄膜的相变电压和非线性系数由颗粒内势垒和界面间势垒共同决定. 首次伏安测试降低了颗粒间势垒, 造成了材料的"激活"现象, 纳米颗粒平均长度越短, 导电通道中的界面间势垒越多, 导致相变电压和非线性系数升高. 实验发现, 电场作用是复合薄膜相变发生的决定因素, 相变后焦耳热对维持相变起主要作用.

摘要： 添加稀土元素是提高Ba0.67 Sr0.33 TiO3陶瓷材料介电性能的一种最常用有效的方法.本文着重研究了La掺杂诱发Ba0.67Sr0.33TiO3高介电常数机制.研究表明:适量的稀土La掺杂(0.2≤x≤0.7)使陶瓷介电常数显著提高,显著改善了介电温度稳定性.根据电流-电压(J-V)特性可知,适量La掺杂可使陶瓷达到最佳半导化,掺量太少或太多时陶瓷具有良好绝缘性.通过肖特基(Schottky)势垒模型及电学微观结构模型分析发现表面或晶界势垒高度、耗尽层厚度和晶粒尺寸是影响材料介电常数的主要因素.

摘要： 势垒贯穿和隧道效应是理工科大学量子力学教学的一个重点和难点.在传统的教学中,教师往往只是基于对粒子的波函数的推导和解析,由于推导和解析过程的繁琐和困难,导致了教学效果不佳,学生对于势垒贯穿和隧道效应的认识仅仅停留在表面,而没有从物理的本质中去认识该部分内容,因此,本文基于Matlab强大的计算和可视化功能,将势垒贯穿和隧道效应的教学可视化,使得教学过程更加直观和具体,让学生从本质上理解该部分内容,从而为后面的学习打下坚实的基础.

摘要： 势垒硅掺杂对InGaN量子阱中的电场及LED器件的光电性能有着重要的影响.采用6×6 K·P方法计算了不同势垒硅掺杂浓度对量子阱中电场的变化,研究表明当势垒硅掺杂浓度>1e18 cm-3时,阱垒界面处的电场强度会变大,这主要是由于硅掺杂浓度过高导致量子阱中界面电荷的聚集.进一步发现随着势垒掺杂浓度的升高,总非辐射复合随之增加,其中俄歇复合增加,而肖克莱-霍尔-里德复合随之减少,这是由于点陷阱的增大形成了缺陷能级.电流电压曲线表明势垒掺杂可有效改善GaN基LED的工作电压,这归于掺杂浓度的提高改善了载流子的传输特性.当掺杂浓度为1e18 cm-3时,获得了较高的内量子效率,这主要是由于适当的势垒掺杂降低了量子阱中界面电荷的损耗.

摘要： 本文简要介绍了nBn势垒阻挡结构器件的提出、发展过程.讨论了nBn型器件的工作机理及其对暗电流的抑制机理.对比了普通碲镉汞nBn结构器件与经过优化具备俄歇抑制特点的NBvN结构器件的性能.总结了碲镉汞nBn型器件势垒层设计要素及器件价带带阶消除的方法.

摘要： 本文主要介绍了利用真空蒸镀法制作可应用于Lechner有源矩阵的有机二极管——A1/A10x/C60/Cu结构的C60肖特基二极管的方法并分析了其电学性能.研究发现,A10x的存在与否对上述肖特基结构能否形成整流接触起到关键作用,基于此,提高氧化温度到60°C,空气中氧化24h,制得了高性能的二极管——A1/A10x/C60/Cu肖特基二极管在偏压为±2V时的整流比大于1000.从测试数据根据相关模型计算得到,二极管的势垒高度为0.83ev,理想因子为1.9.基于实验所用的C60纯度只大于95%,该二极管的整流效果还是很理想的.

摘要： 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J(峰值电流)=1.589kA/cm,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,J=1.086kA/cm.两种情况下,较低的PVCR可归结为GeSi/Si异质结构本身的能级特性和热效应.

摘要： 本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlGaAs中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.

摘要： 本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlGaAs中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.

摘要： 本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlGaAs中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.

摘要： 本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlGaAs中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.

摘要： 本文介绍了利用界面固定负电荷在MIP-AlGaAs中产生的感应势,并用于提高AlGaAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想.提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法.报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlGaAs中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值.

摘要： 一种新型的微波峰值功率传感器已研制成功，传感器采用集成于CaAs衬底的PDB二极管器件，它与传统的功率传感器相比具有功率测量响应速度快，动态范围大，频响特性好等优点。

摘要： 一种新型的微波峰值功率传感器已研制成功，传感器采用集成于CaAs衬底的PDB二极管器件，它与传统的功率传感器相比具有功率测量响应速度快，动态范围大，频响特性好等优点。

摘要： 一种新型的微波峰值功率传感器已研制成功，传感器采用集成于CaAs衬底的PDB二极管器件，它与传统的功率传感器相比具有功率测量响应速度快，动态范围大，频响特性好等优点。

摘要： 一种发光二极管(100)，包括：分别掺杂n型和p型的第一半导体层和第二半导体层(102，104)，该第一半导体层和第二半导体层(102，104)形成p‑n结；位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源区(105)，该有源区(105)包括能够形成量子阱的InXGa1‑XN发射层(106)和其间放置有该发射层的两个InYGa1‑YN(0WGa1‑WN，0VGa1‑VN，V>W>0。

摘要： 本发明提供了一种超势垒二极管的制备方法和超势垒二极管，其中，制备方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、P型多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对P型多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区；在P型体区的边缘形成P‑型区域；在P‑型区域的内侧的外延层中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极，以完成超势垒二极管的制作。通过本发明的技术方案，减小了器件的通态压降，进而提升了超势垒二极管的可靠性。

摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管及制造肖特基势垒二极管的方法。该二极管包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n‑型外延层；和设置在上述n‑型外延层内的多个p+区域。n+型外延层设置在上述n‑型外延层上，肖特基电极设置在上述n+型外延层上，欧姆电极设置在上述n+型碳化硅衬底的第二表面上。上述n+型外延层包括设置在上述n‑型外延层上的多个柱形部和设置在上述柱形部之间且露出上述p+区域的多个开口。每个柱形部包括接触上述n‑型外延层的大致直线部、和从上述大致直线部延伸的大致曲线部。

摘要： 本发明提供了一种超势垒二极管的加工方法和超势垒二极管，所述加工方法包括：在N型衬底上依次形成N型外延层、场氧化层、多晶硅层和绝缘层；在绝缘层上形成图形化掩膜层后，对绝缘层进行各向同性刻蚀，以形成绝缘层掩膜结构；以形成的绝缘层掩膜结构为掩膜，依次对多晶硅层和场氧化层进行各向异性刻蚀，以暴露出用于制作体区的外延层的指定区域；在外延层的指定区域形成P型体区；在经过刻蚀的场化层的边缘下方的外延层中形成P‑型区域，在P‑型区域的上方对应的多晶硅层形成P型多晶硅结构；在形成P型多晶硅结构的P型体区中，形成与P‑型区域分离的N+型区域和电极。通过本发明的技术方案，提升了超势垒二极管的可靠性。

摘要： 本发明公开了一种超级势垒整流器的制备方法以及超级势垒整流器，所述制备方法包括：在衬底上形成外延层；在所述外延层上热生长场氧化层；在所述场氧化层上刻蚀有源区；在所述有源区中注入离子并推结形成P阱；在所述有源区中刻蚀沟槽，所述沟槽贯穿所述P阱；在所述沟槽的侧壁以及底部热生长栅氧层；在所述沟槽内淀积多晶硅；在所述有源区中的所述沟槽两侧形成P型体区；在所述P型体区表面以及所述多晶硅表面制作金属电极。本发明技术方案解决了高压超势垒整流器易发生穿通击穿的难题，为量产高压超势垒整流器提供了一个切实可行的方案。

摘要： 本发明公开了一种新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、顶部沟道、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器属于超级势垒整流器类型，其肖特基接触超级势垒整流器元包序列部分能够使该器件获得更好的电性性能和热稳定性，其顶部沟道能够使该器件获得更好的正向浪涌可靠性能力并减小导通电阻。

摘要： 本发明涉及一种基于场板和复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底、位于衬底上的缓冲层和位于缓冲层上的沟道层；位于沟道层上的复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；位于第一势垒层上的阴极；位于第二势垒层上的复合阳极，包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触；位于第三势垒层上的P型GaN帽层；位于P型GaN帽层上的基极；覆盖在复合势垒层、P型GaN帽层、阳极肖特基接触和基极上的钝化层。本发明实施例的GaN基肖特基势垒二极管通过引入复合势垒层、P型GaN帽层、基极和复合阳极，在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，改善了器件的击穿特性和可靠性。

摘要： 本发明涉及一种具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管，包括衬底层，位于所述衬底层上的缓冲层，位于所述缓冲层上的沟道层；位于所述沟道层上的复合势垒层，其中，所述复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层和位于第一势垒层和第二势垒层之间的第三势垒层；位于所述第二势垒层上的阴极；位于所述第一势垒层上的复合阳极；位于所述第一势垒层上的本征GaN帽层。本发明实施例具有复合势垒层的GaN基肖特基势垒二极管在提高器件击穿电压的同时减小了器件的开启电压，缓解了器件击穿电压与开启电压之间的矛盾，改善了器件的击穿特性和可靠性。

摘要： 本发明涉及一种势垒金属结构及势垒金属结构的制造方法，包括：第一金属钛层，设于所述衬底上；金属氮化钛层，设于所述第一金属钛层上；第二金属钛层，设于所述金属氮化钛层上；铝金属层，设于所述第二金属钛层上。上述势垒金属结构，由于在金属氮化钛层和铝金属层之间设有第二金属钛层，可阻止铝金属层和金属氮化钛层在常温下反应生成氮化铝(AlN)，采用湿法腐蚀时，能有效稳定金属氮化钛层的腐蚀速率，保证金属氮化钛层能被完全腐蚀掉，保证了SiC JBS器件最终的性能；该势垒金属结构支持使用湿法腐蚀，可有效解决干法刻蚀过程中带来的过刻和刻蚀完成后金属侧壁形貌较为陡直，不利于后续的钝化层覆盖的问题。

摘要： 本公开涉及结势垒肖特基器件和结势垒肖特基装置。本公开提供了一种结势垒肖特基器件，包括SiC的半导体主体，半导体主体为具有第一导电性。具有第二导电性的注入区域从半导体主体的顶部表面延伸到半导体主体中，以与半导体主体形成结势垒二极管。电端子，横向于所述注入区域，与注入区域欧姆接触并且与顶部表面直接电接触，以与半导体主体形成肖特基二极管。注入区域由第一部分和第二部分形成，第一部分和第二部分被彼此直接电连接并且沿着横向于顶部表面的对齐轴线被对齐。正交于对齐轴线，第一部分具有第一最大宽度，并且第二部分具有第二最大宽度，第二最大宽度大于第一最大宽度。