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陈杨; 陈建清; 陈志刚; 陈爱莲;
江苏大学材料学院,江苏,镇江,212013;
江苏工业学院,江苏,常州,213016;
昆明理工大学,云南,昆明,650051;
纳米CeO2磨料; 化学机械抛光; 抛光机理;
机译:固定磨料抛光技术(硅晶片加工),产生高附加值值:STI固定磨料谷物CMP
机译:固定磨料抛光技术(硅晶片处理),产生高附加值值:通过发光压力控制激光AC稳定的CMP处理
机译:硅晶片超声辅助固定磨料CMP(UF-CMP)的基本面研究
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:M300钢弹性磨料磨抛机理与参数优化
机译:基于磨料氧化铝(Al2O3)的CMP 6H-SiC晶体(0001)Si表面的材料去除率研究。
机译:一些有机磷萃取剂(HHDECmp(己基,己基-N,N-二乙基氨基甲酰基甲基次膦酸盐); DHDECmpO(二己基-N,N-二乙基氨基甲酰基甲基膦氧化物))萃取金属溶剂的动力学和机理
机译:Cmp磨料,加入磨料Cmp进行液体和基材的抛光方法
机译:磨料组合物,用于硅晶片的磨料组合物以及硅晶片产品的制造方法
机译:硅晶片上同时进行结构测试和串行化集成电路的机理,硅晶片上同时进行测试过程和串行结构集成电路的机理。
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