SnO2-x透明导电薄膜的制备及其导电性能研究

摘要

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2-x薄膜.并用XRD、AFM等对样品进行分析.结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5 Ω/□,紫外–可见光透射率在90%以上.