退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
黄佳木; 吕佳; 张新元; 覃丽璐;
重庆大学材料学院,重庆,400045;
无机非金属材料; TaOx; 非晶态薄膜; 离子导体; 磁控溅射; 掺杂;
机译:溅射Li2.5Taox离子导体的厚度依赖性表面粗糙度及其对无机整体电致变色装置电光性能的影响
机译:sa掺杂的CeO2氧空位导体的高压结构研究-薄膜离子导体中掺杂物浓度与应变效应的关系研究
机译:通过Li_3PO_4表面涂层的Li离子导体增强Zr〜(4+)掺杂Li_(1.20)Mn_(0.54)的热稳定性的电化学性能和热稳定性
机译:DC反应磁控溅射制备的Zr掺杂ZnO薄膜电气和光学性能研究
机译:石榴石型锂离子导体Li7-xLa3Zr2-xTaxO12的结构和性能及其在锂离子电池中的应用。
机译:掺杂杂质的掺杂ZrO2的Cu和Y掺杂的光学和结构性能的改性
机译:钐掺杂CeO2氧空位导体的高压结构研究 - 探讨薄膜离子导体中应变效应的掺杂剂浓度关系
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。