AlN薄膜覆Al基板的物理特性

摘要

利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3 μm的AlN薄膜.XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100 V/μm.利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6 N左右.AlN和铝基体间的结合主要是物理吸附和机械锚合.用有限元方法对基于AlN膜/Al热沉的LED(发光二极管)封装结构的散热性能进行了分析,模型的内通道热阻约2 K/W.