Pt电极的磁增强反应离子刻蚀的研究

摘要

以SF6/O2作为刻蚀气体,用磁增强反应离子刻(MERIE)技术,对磁控溅射法制备的Pt电极进行了刻蚀.结果表明:Pt的刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率以及刻蚀功率都有一定关系.在相同功率下,R[O2:(SF6+O2)]=2/6,刻蚀速率达到极大值,功率为120 W时,刻蚀速率极大值为12.4 nm/min.AFM分析表明,薄膜表面的粗糙度随刻蚀功率增加而变大,均方根粗糙度从120 W时的0.164 mm增加到160 W时的0.285 nm.经优化工艺参数刻蚀后的Pt电极图形结构平整,边缘整齐.