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Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响

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摘要

研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响.适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm2.

著录项

来源
《电子元器件应用》 |2002年第7期|17-18|共2页
作者
陈洪存; 王矜奉; 李明明;
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作者单位

山东大学物理系,山东,济南,250100;

山东大学物理系,山东,济南,250100;

济南大学物理系,山东,济南,250002;

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正文语种 chi
中图分类可变电阻器;
关键词
ZnO压敏电阻; 非线性系数; 漏电流; 击穿电场强度;

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