Nb2O5对ZnO压敏电阻器微观缺陷和电学性能的影响

摘要

本文研究了Nb2O5含量对ZnO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5系列压敏陶瓷微观缺陷和电学性能的影响。电性能测试和正电子湮没技术研究结果表明，含0.2mol%Nb2O5的znO-Bi2O3-TiO2-Nb2O5压敏陶瓷的晶界缺陷最少，压敏电压最低。当Nb2O5含量超过0.2mol%时，ZnO压敏陶瓷样品中的晶界缺陷增加，压敏电压升高。