Bi2O3与Sb2O3预合成对高性能ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的显微结构与电性能影响

摘要

cqvip:为了降低Bi2O3和Sb2O3因熔点低在烧结过程中的挥发程度,以及改善球磨法所得陶瓷样品的显微结构均匀性,实现1000℃以下烧结获得综合性能良好的ZnO压敏陶瓷,选取综合性能良好的ZnO-Bi2O3基础陶瓷配方,将其中的Bi2O3和Sb2O3按照1︰1物质的量比例预合成,按传统电子陶瓷工艺制备压敏陶瓷,并与传统配料方式制备获得的样品作对比。结果表明:Bi2O3和Sb2O3预合成的样品比未预合成的样品气孔少、致密度较高、粒径分布更加均匀,压敏电压460-600V/mm,非线性系数40-60,漏电流低于1μA。研究结果有望为多层片式ZnO压敏元件实现纯银内电极共烧提供实验依据。