新型512Mb NOR闪存＋PSRAM／LPSDRAM子系统芯片

摘要

ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以及假静态随机存取存储器（PSRAM）或低功耗同步动态随机存取存储器（LPSDRAM）。采用ST的现代90nm工艺技术制造，新的NOR闪存存储器子系统有用于3G手机的更快的代码执行和更好的性价比。