NOR闪存

摘要： NOR闪存已作为FPGA(现场可编程门列阵)的配置器件被广泛部署.其为FPGA带来的低延迟和高数据吞吐量特性使得FPGA在工业、通信和汽车ADAS(高级驾驶辅助系统)等应用中得到广泛采用.汽车场景中摄像头系统的快速启动时间要求就是很好的一个例子——车辆启动后后视图像在仪表板显示屏上的显示速度是最为突出的设计挑战.

摘要： 苏州诺存微电子公司(诺存微电子)近日发布了国内首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad -SPI高速NOR闪存(64MB-256MB)。这一系列闪存新品具备三大特点,一是速度快,16倍于传统SPINOR;二是引脚少,采用SOP16、SOP8或BGA24封装;三是可以与传统SPI完全兼容。基于这一特质,诺存微电子的新品相比美光、华邦、旺宏等老牌厂商具备更好的性价比,能够在安防、物联网、汽车电子、工控等市场得到广泛应用。

摘要： 美光科技股份有限公司宣布,Mobileye选定美光内存解决方案,以推动基于Mobileye第五代EyeQ 5单芯片系统(SoC)EPM5平台的全自动驾驶开发。美光是Mobileye的EPM5平台的内存解决方案主要供应商,提供业界最广泛的内存和存储产品组合。两家公司将合作测试和验证美光的LPDRAM、Xccela NOR闪存和e.MMC内存解决方案,以加速在L1至L5级自动驾驶车辆上实现高级驾驶辅助系统(ADAS)功能。

摘要： 近日，全球领先的嵌入式系统解决方案提供商赛普拉斯半导体公司正式推出了Semper NOR闪存产品系列。该产品系列面向汽车和工业领域，为用户提供业内最好的安全性和可靠性保证。此外，该产品独有的诊断功能，不仅可以及早发现系统的潜在故障，还可以从容实现系统的恢复。在新品发布会的现场，赛普拉斯存储器产品部门执行副总裁Sam Geha博士对新品系列做了进一步的解读并回答了记者提问。

摘要： 最近几年,智能驾驶和智能汽车是业界炙手可热的话题。据Strategy Analytics 2015数据,传统汽车的汽车电子成本大约在315美元,而插混汽车和纯电动汽车中汽车电子的含量则增加了近一倍,插混汽车约为703美元,纯电动汽车约719美元。此时,对于整车质量而言,电子系统的可靠性和安全性尤其重要。

摘要： 数字化变革需要对海量实时的现场数据进行采集、传输、存储与判断,智能化的基础是对数据的高效存储。美光科技(Micron Technology)是半导体行业的全球领军企业,成立40年来,美光始终致力于在工程技术上与客户和合作伙伴积极合作,推动技术创新,加速行业发展的进程。美光提供工业级的存储产品和服务,丰富的产品组合从基础的DRAM、NAND和NOR闪存,到固态硬盘、模组、多芯片封装(MCP)、混合存储立方体(HMC),以及其他半导体系统。作为美国唯一的DRAM制造商,美光利用全球范围的广泛影响力和领先技术,帮助客户提升市场竞争力。

摘要： 赛普拉斯半导体公司正式推出Semper NOR闪存产品系列。该产品系列面向汽车和工业领域,为用户提供业内最好的安全性和可靠性保证。Semper闪存产品系列的架构和设计旨在打造无故障嵌入式汽车安全系统.

摘要： 赛普拉斯日前宣布推出拥有嵌入式计算能力的新一代存储平台,以满足高级驾驶辅助系统(ADAS)和智能工厂等应用对高可靠智能技术和无故障存储产品的日益增长的需求。该平台拥有标准化的IP设计,可针对新的应用需求实现快速的重新配置。赛普拉斯的SemperTM NOR闪存产品系列即基于该平台打造,它搭载了Arm Cortex-M0处理器,可用于符合行业标准的无故障嵌入式汽车系统,并可在汽车和工业应用的极端工作温度中提供可靠、持久的数据留存能力。

摘要： 赛普拉斯半导体公司（赛普拉斯）日前正式推出了SemperTMNOR闪存产品系列。该产品系列面向汽车和工业领域，为用户提供优异的安全性和可靠性保证。Semper闪存产品系列的架构和设计旨在打造无故障嵌入式汽车安全系统，是首款符合ISO26262功能性安全标准的存储产品。

摘要： 赛普拉斯半导体公司近日宣布电装（DENSO）公司采用赛普拉斯TraveoTM车用MCU系列和FL-S Serial NOR闪存，为丰田2017款凯美瑞汽车仪表盘提供先进的图形显示功能。电装仪表盘选用业界首款具有3D显示能力的Traveo仪表盘MCU，该器件基于ARM Codex -R5处理器，能够节省大量存储空间，具备更强的安全性能以及丰富的图像功能。

摘要： 本发明实施例提出了一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，涉及存储技术领域，该方法中：闪存控制器在获得由固件发送的目标操作指令后，通过监听目标LUN的当前状态，并在目标LUN处于空闲状态时，将目标操作指令添加到命令队列，进而由闪存控制器将命令队列中所存储的所有操作指令分别发送给存储单元，以使存储单元执行命令队列中的所有操作指令。发明实施例所提供的一种闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统，能够简化固件的代码，提升系统性能。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅。通过对闪存单元的控制栅、位线、字线栅、N阱进行电压配置，从而达到编程的操作。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存控制装置、闪存控制系统和闪存控制方法。所述闪存控制装置包括数据读写接口和控制器。当所述数据读写接口耦接到第一闪存与第二闪存时，所述控制器通过所述数据读写接口来将第一闪存的第一储存平面所储存的至少一笔有效数据暂存到第二闪存的第二缓冲器；所述控制器对已经没有有效数据的所述第一储存平面执行擦除循环，以清除所述第一储存平面内的非有效数据并且整理出所述第一储存平面内的闲置空间；以及所述控制器还将暂存于所述第二缓冲器的所述至少一笔有效数据重新写入所述第一储存平面。本发明可实现更快的操作速度，并且降低闪存控制器的制造成本。

摘要： 本发明提供了一种闪存单元、闪存单元的编程方法及闪存单元的擦除方法，所述闪存单元包括形成有N阱的P型衬底和所述N阱上的栅极结构，所述栅极结构包括第一存储位和第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位共享一个字线栅，本发明提供的闪存单元编程功耗低，读取速度快，存储的状态更多。通过在闪存单元的控制栅施加正电压，在位线上施加负电压，从而达到编程的操作，本发明提供的闪存单元的编程方法可以选择编程的存储位，也可以对两个存储位同时进行编程。通过在字线栅上施加正电压，在两个存储位的控制栅上施加负电压，快速擦除信息，所述字线栅的结构产生增强型电子隧穿效应，使用较低的电压就可实现快速擦除的目的。

摘要： 本发明公开了一种闪存的控制方法、闪存晶粒以及闪存。其中，闪存具有连接多个闪存晶粒的外部数据总线。闪存的控制方法包括：在设定阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器送出设定命令，将各闪存晶粒的数据总线的各端口分别映射到各闪存晶粒的状态指标；以及于要求阶段，于命令输入的操作模式下，由主控器向各闪存晶粒送出要求命令，并且于数据输出的操作模式下，将各闪存晶粒的状态指标的状态经由相对应的外部数据总线的各端口，传送到主控器。

摘要： 本发明公开一种检查闪存装置的闪存的存储单元的方法，包括：写入数据至存储单元；以及执行数据读取操作以从存储单元中读取数据以比较所述所读取的数据及所述所写入的数据以检查数据是否被正确地写入至存储单元，所述数据读取操作包括：执行依序读取操作以依序地选取出第一存储单元并从所述第一存储单元中读取数据；如果所述第一存储单元损坏，则累加连续的损坏存储单元的个数的值；以及如果所述连续的损坏存储单元的所述个数的值大于所述第一门限个数的值，则退出所述依序读取操作并接着执行随机读取操作以读取特定存储单元的数据。本申请所提供的技术解决方案可以在所述时间限制到期前尽可能地令被开卡的闪存装置具有较大的总存储容量。

摘要： 本发明提供一种闪存单元、闪存模块以及闪存芯片，该闪存单元包括：用于存储长时数据的可编程半导体器件以及用于存储临时数据的模拟电容单元，可编程半导体器件与模拟电容单元并联连接，其中，通过设置模拟电容单元存储临时数据，能够有效减少可编程半导体器件的擦写次数，避免可编程半导体器件的老化。

摘要： 本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法，所述闪存存储管理方法包括：提供闪存模块，所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块；将欲写入的数据分类为多个数据群；分别执行单层单元数据写入以及执行类似独立磁盘冗余阵列错误更正编码操作产生对应校验码，以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块；当完成所述多个单层单元数据区块的写入时，执行内部复制，将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码，依所述多个单层单元数据区块存储顺序，依序写入所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用，闪存数据空间使用效率更高。

摘要： 本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统。其中所述的闪存芯片，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述闪存芯片包括多个闪存通道，每一闪存通道对应设置有一个信号标志单元，所述信号标志单元通过信号标志值确定与其对应的闪存通道处于高功耗状态或低功耗状态；所述闪存控制器包括功耗检测单元，用于确定是否存在处于高功耗状态的闪存通道，以使所述闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令。通过信号标志单元的信号标志值确定对应的闪存通道的功耗状态，以使闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令，从而解决闪存芯片的瞬时功耗较高的技术问题，有效保障闪存芯片的正常工作。