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李学明;
无;
形成技术; 配线; 掩膜; 特征和; 化学蚀刻工艺; 大规模集成电路; 半导体芯片; 工艺制作;
机译:通过低要求的掩膜技术,通过使用碱漆改性-离子交换-还原(AIR)工艺在聚酰亚胺基板上形成导电银图案
机译:高度可靠的银纳米线透明电极,采用自掩膜光刻技术形成的选择性图案化阻挡层
机译:通过原位纳米掩膜技术形成的富铟岛结构
机译:通过栅极掩膜离子注入技术形成的MOSFET的特性
机译:Chiari(CLMS / COMS)狗的热成像中用于Syrinx识别的特征和掩膜尺寸的比较
机译:通过使用自掩膜蚀刻技术在晶圆表面形成纳米级金字塔提高多晶硅晶圆太阳能电池效率
机译:通过相位掩膜技术形成正交或四方对称的木桩型光子晶体
机译:便携式可重配线传感器(pRLs)和技术转让
机译:极紫外掩膜毛坯,使用极紫外掩膜毛坯,光刻技术,使用光掩膜制造的方法,以及使用光电掩膜的半导体器件的制造方法
机译:制造电气配线层的方法,形成电气配线层的构件,电气配线层,制造电气配线板的方法,电气配线板形成构件
机译:基板保持输送夹具,基板保持构件,按压构件去除夹具,金属掩膜板,印刷配线板的输送,具有配线板的电子零件的制造方法,基板输送装置
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