单层二硫化钼在空位缺陷下的可饱和吸收性

摘要

单层二硫化钼是禁带宽度为1.8 eV的二维直接带隙半导体材料,可以用来发展新型的纳米电子器件和光电功能器件.由于半导体里的空位能够捕获电荷载流子和局域激子,形成散射中心,极大的影响其主材料的输运和光学性质,文中主要利用第一性原理方法的相关理论基础和数值计算算法,研究原子空位对单层二硫化钼光学性质与饱和吸收性的影响,计算揭示硫空位的出现在带隙中产生局域的中间态,导致光学吸收峰的位置显著红移并且在可见光有较强的光吸收.通过数形结合,很好地理解了这个缺陷调制的吸收机制,为二维材料的光电子器件制备提供了深入指导.