基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺

摘要

本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能,其在MCM组件中的应用,将进一步降低组件的重量、提高封装密度.在国外,PSPI在MCM中的应用已较为成熟,而国内在这方面与国外有较大的差距.为此,文章从应用的角度出发,研究了PSPI的光刻特性,优化工艺参数后,厚度10μm的PSPI可刻出Φ30μm的微孔;PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键,文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究,通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化,在其表面TiW-Cu-Au膜层的附着力满足要求,附着力达25 MPa;在此基础上,制作出了"3层介质+3层电路"的多层薄膜微波测试电路.结果表明,测试电路层间导通良好,在1~40 GHz范围内插入损耗小于0.85 dB,回波损耗小于-13 dB.