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张广军; 耿正;
哈尔滨工业大学;
IGBT; 漏栅; 寄生电容; 逆变焊机; 工作特性;
机译:具有极小的寄生电容和漏极感应势垒降低的自对准U栅碳纳米管场效应晶体管
机译:使用MOSFET栅极到漏极和漏极 - 源寄生电容的负载独立式-E逆变器设计
机译:MOSFET的栅极到漏极和漏极到源极的寄生电容对E / F 3 sub>类功率放大器的性能的影响
机译:MOSFET栅漏寄生电容对E类功率放大器的影响
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:用作布置在半导体主体中的MOSFET或IGBT的半导体元件包括具有第一导电性的源极和漏极区域,布置在该源极和漏极区域之间的主体区域以及栅电极
机译:带沟槽栅的绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
机译:用于非易失性信息存储的浮栅存储单元具有源/漏配置,具有两个源/漏区,允许通过两个公共源/漏区访问所有浮栅
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