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娄彦涛; 孙小平; 刘琦; 周文鹏; 赵彪; 余占清; 曾嵘;
西安西电电力系统有限公司 陕西西安710065;
清华大学电机工程与应用电子技术系 北京100084;
IGCT-MMC; 快恢复二极管; 反向恢复峰值电流; 反向恢复峰值功率; 安全工作区;
机译:二极管反向恢复时间测试仪
机译:分析仪测试二极管的反向恢复行为
机译:采用集成的P型肖特基二极管,在4H-SiC双沟超结MOSFET中获得了改进的反向恢复特性
机译:SiC MOSFET本征二极管的反向恢复特性分析
机译:使用反向恢复瞬态方法测量纳米晶硅器件中少数载流子的寿命。
机译:利用疲劳特性分析16Mo3钢在拉伸压缩和振荡弯曲条件下的测试结果
机译:反向恢复为50V硅电荷等离子销二极管
机译:铁路脉冲电源电路中晶闸管和二极管反向恢复的建模与分析。
机译:补偿基于发光二极管(LED)的灯泡的开关模式操作中双极结型晶体管(BJT)的反向恢复时间
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