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温传新; 朱金大; 武迪; 云阳; 程远; 杜博超;
国电南瑞科技股份有限公司;
哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院;
碳化硅MOSFET; 驱动器; 短路保护; 驱动振荡; 双脉冲实验;
机译:功率模块SiC MOSFET与SI-IGBT对比表征的研究及三相SPWM逆变器
机译:1.2 kV SiC MOSFET功率模块短路测试的退化指标研究
机译:ROHM SEMICONDUCTOR扩展了基于SIC的功率模块和SIC-MOSFET的程序:开关损耗显着降低
机译:基于电流镜的大电流保护对1200V 800A高功率SiC MOSFET模块的研究
机译:6H-αSiC的热氧化电钝化及其表征和在SiC MOSFET中的应用。
机译:多芯片SIC MOSFET模块多物理仿真辅助光学测量的热阻抗表征
机译:用于SIC MOSFET模块的成本有效的电流源门驱动器及其与电压源门驱动器的比较
机译:用si和siC mOsFET研究DC-DC转换器功率密度
机译:用于逆变器和中断自由电流供应的MOSFET电路-具有构成对称模块的功率MOSFET以及带电的功率电路。热和电条件
机译:用于制造功率半导体模块如功率半导体模块的MOSFET的功率半导体组件的基板的方法涉及在宽条形导体上执行金属膜的电隔离
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