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机译:UltraCMOS™工艺有助于生产高集成度的射频集成电路,这对在射频开关中使用砷化镓提出了挑战
机译:激光触发大功率砷化镓光电导开关抑制表面闪络的实验研究%激光触发大功率砷化镓光电导开关抑制表面闪络的实验研究
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:使用与硅CMOS集成在一起的低温生长的砷化镓金属-半导体-金属开关进行光子A / D转换
机译:基于Ag / GeSx / Pt的互补电阻开关用于混合CMOS /纳米电子逻辑和存储器架构
机译:亚皮秒级的无源和有源砷化镓/砷化铝镓非线性定向耦合器中的所有光开关。
机译:光电器件和si-CmOs在砷化镓上的单片集成
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:用于砷化镓设备的砷化镓(GAAS)放大器和发射/接收开关及相关系统和方法
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