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刘辉;
机译:UltraCMOS™工艺有助于生产高集成度的射频集成电路,这对在射频开关中使用砷化镓提出了挑战
机译:硫化双(二甲基二硫代砷化镓)镓[(Me_2AsS_2)_2Ga] _2S·0.75H_2O的结构:(Me_2AsS_2)_3Ga的水解产物,其中包含桥联硫化物以及侧链和桥联二甲基二硫代砷化镓配体。
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:光学方法定量分析高纯度砷化镓,重掺杂砷化镓和铝砷化镓/砷化镓异质结器件
机译:直接辐射的片上砷化镓肖特基二极管和天线的射频到直流特性用于近距离通信系统
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:光电器件和si-CmOs在砷化镓上的单片集成
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
机译:砷化镓基质的制备方法,砷化镓基质及其使用以及表征砷化镓基质表面性质的方法
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