半导体技术的新挑战:封装与系统设置

摘要

＜正＞提高功率密度和性能,同时降低成本,从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出,在可预见的未来,这个趋势还将继续下去,并且新型半导体材料的发展甚至会加剧这一趋势。传统的硅材料与诸如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料的一个共同发展趋势是提高电流密度,并且需要逐步实现高达200℃的更高工作温度。主要受要求高得多的负载和温度循环