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宁波;
器件结构; 透明氧化物; 动态随机存储器; 中科院; 静态随机存储器; 非破坏性读出; 存取速度; 非易失性;
机译:用于制造完全透明的模拟忆阻器器件的ZnO2 / ZnO双层开关膜
机译:基于聚合物铁电和氧化物半导体的全透明忆阻器电池
机译:基于二元金属氧化物的RRAM器件中丝状开关模拟的研究进展
机译:在Na + / TaurocholateCotroansporting多肽(NTCP)中潜在的变阻率,切换和中性位置在潜在的变阻率,切换和中性位置的功能和表达
机译:三元算术多态忆阻钽氧化物器件
机译:自底向上生长用于发光器件的铟锡氧化物纳米线的完全透明的接触层
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物
机译:硝酸氘形成超薄栅氧化物的研究进展。
机译:真核细胞中超氧化物歧化酶的研究进展
机译:变阻功能体,存储元件,其制造方法,存储器件,半导体器件和电子设备
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