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不详;
硅晶体管; 砷化铟镓; 开发; 美国麻省理工学院; 摩尔定律; 微系统技术; 纳米尺度; 运行速度;
机译:具有多种功函数栅金属的砷化铟铝/砷化镓铟变质高电子迁移率晶体管的碰撞电离和闪烁噪声特性研究
机译:高性能砷化镓磷化物-砷化铟镓隧道场效应晶体管的基于物理的仿真研究
机译:在砷化铟镓/磷化铟和砷化镓衬底上生长的自组装砷化铟纳米结构形成的有力研究
机译:基于磷化铟氧化物,磷化铟,砷化铟镓镓和锑化铟镓镓的光伏电池效率的提高
机译:砷化铟铝/砷化铟镓镓调制掺杂的场效应晶体管的亚纳米分析与优化
机译:非晶态铟镓锌氧化物薄膜的高压气体活化100°C时的晶体管
机译:砷化镓铟/铝铟砷化物和砷化镓铝铟砷/铝铟砷化物MQW器件在1.3μm的室温载流子寿命和光学非线性
机译:砷化镓,磷化铟,砷化铟和锑化镓中电子和空穴高能迁移的理论研究。
机译:砷化镓锑化镓(GaAsSb)/磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)具有降低的隧穿概率
机译:用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
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