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莫啸; 李冬; 张明科; 孔德鑫;
中国电子科技集团公司第三十八研究所 安徽合肥231500;
自偏置; 带隙基准; 温度系数; 电源抑制比;
机译:带伪偏置和服务调节器的高压汽车应用的带隙电压基准IC
机译:MOVPE生长1.0 eV IngaASP太阳能电池,带隙 - 电压偏移偏置到理想的辐射重组极限附近
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:一种高精度电压源CMOS带隙的指定
机译:以上是直接带隙材料的带隙热光系数测量值。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:石墨烯纳米带中与外部偏置有关的直接到间接带隙跃迁
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。
机译:具有大范围输入电压和高精度输出的自偏置带隙基准电路
机译:带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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