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计算机模拟InGaSb/GaAs薄膜外延生长的研究

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该文采用动力学蒙特卡罗(KMC)方法模拟了InGaSb薄膜由2D到3D的外延生长过程,观察到明显的岛状生长过程,并且发现从网络结构的形成到衬底被完全覆盖,岛的接连处曲率不断变大,由此可见实际岛接连处的应变的增加导致了化学势的变化,进一步促使质量的变差,并对表面形貌产生影响.

著录项

来源
《电脑知识与技术》 |2010年第15期|4166-4167|共2页
作者
尤明慧; 徐爽; 陈大川;
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作者单位

空军航空大学;

飞行基础训练基地;

吉林;

长春;

130022;

空军航空大学;

飞行基础训练基地;

吉林;

长春;

130022;

空军航空大学;

飞行基础训练基地;

吉林;

长春;

130022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP51;
关键词
分子束外延; InGaSb; 蒙特卡罗;

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