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杨卫霞; 张贺翔; 潘凤春; 林雪玲;
宁夏大学物理与电子电气工程学院;
银川750021;
GaSb; 过渡金属掺杂; 电子结构; 光学性质; 第一性原理;
机译:掺杂在GaN纳米管中的过渡金属(Y,Zr,Nb,Mo,Tc,Ru,Rh,Pd,Ag和Cd)的电子结构和磁性
机译:从FLAPW-GGA计算中获得的一系列金属四元素MV4(M = Ru,RH,Pd,OS,IR,Pt)的结构,弹性,电子性质和外部组合相互作用
机译:从FLAPW-GGA计算中获得的金属四硼化物系列MB4(M = Ru,RH,Pd,OS,IR和Pt)中的结构,弹性,电子性质和外部组相互作用
机译:Ru,Rh和Pd掺杂的二硅化铁的性质
机译:掺杂对碘化铯电子结构和光学性质的影响。
机译:Pd-Ru固溶合金纳米粒子的合成Pseudo-Rh:NOx还原活性和电子结构
机译:Ru,Rh,Mo和Pd吸附对Anatase TiO2(101)的电子和光学性质的影响:DFT调查
机译:Ru(0001)表面Cu和Ni薄膜的化学,结构和电子性质对比
机译:氮化照射核燃料中Ru,Rh,Pd,Mo和Zr的组合测定
机译:联合测定Ru,Rh,Pd,Mo,氮化氮辐射核燃料的质量含量的方法
机译:Ir,Ru,Rh,Pd和Au催化高效贵重金属 - 羧酸盐化合物
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