GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化

摘要

为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率 ,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线。计算结果表明 ,p型掺杂浓度在～ 6× 1 0 1 8cm-3 时可获得最大量子效率 ,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大。