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张万鹏;
复旦大学电子工程系集成电路CAD研究室;
局部分子束外延; HEMT; HBT; 微波电路;
机译:射频等离子体辅助分子束外延生长的同质外延N极GaN层和HEMT结构
机译:由化学束外延材料实现的单片5 Gb / s p-i-n / HBT集成光接收器电路
机译:通过分子束外延生长的低压InAsP / InAs HBT和变质InAs BJT器件
机译:选择性分子束外延的单片InP HEMT / HBT集成电路技术
机译:集成RHEED-TRAXS和分子束外延技术对功能性氧化物沉积工艺进行实时成分控制
机译:局部应变测量拉曼技术制备分子束外延生长硫族化物薄膜光谱学
机译:固体源分子束外延生长铍掺杂InP / InGaAs单双HBT的热稳定性
机译:采用分子束外延法制备锡基IV-IV异质结构
机译:局部压力的操作方法-柯束外延装置和分子束外延设备
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:分子束供料器采用半导体晶体的外延生长方式
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