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党兰焕; 贺敬良; 王学军;
西南石油大学;
北京信息科技大学机电工程学院;
中国电子科技集团公司第四十五研究所;
玻璃晶片; 边缘磨削; 崩边; 光电器件; 实验设计法;
机译:通过实验设计(DOE)优化磨削工艺-对比研究
机译:基于期望函数和元启发式技术的两阶段多响应磨削工艺的优化工艺设计
机译:单晶片基于臭氧的工艺可有效清洁边缘含氟聚合物
机译:在硅晶片上使用基于硅烷的底漆,以增强湿法蚀刻期间边缘保护涂层的粘附性:爪子缠绕〜TM工艺的应用
机译:使用实验设计(DOE)和田口方法对生物印刷工艺进行优化。
机译:使用DoE方法在自动化高通量单次使用ambr15生物反应器中进行CHO补料分批工艺的培养基优化
机译:基于分段砂轮磨削工艺多客观优化的TOPSIS方法在磨削过程中的应用
机译:用于离线工艺优化的高温合金和陶瓷磨削分析
机译:包含第一和第二DOE的半导体晶片的制造和使用的工艺,该第一DOE和第二DOE是兼容标准单元的,启用NCEM的填充单元,第一DOE包括蛇形开口的填充单元,第二DOE包括针脚开口的填充单元
机译:制备和使用包含第一和第二DOE的半导体晶片的工艺,该第一和第二DOE包含标准单元兼容的,启用NCEM的填充单元,其中第一DOE包括尖端到尖端的短配置填充单元,第二DOE包括倒角短配置的填充单元
机译:制备和使用包含第一和第二DOE的半导体晶片的工艺,该第一和第二DOE兼容标准单元,且具有NCEM功能的填充单元,其中第一DOE包括合并的通孔配置的填充单元,第二DOE包括蛇形配置的填充单元
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