一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法

摘要

利用ＳＩＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进行评价的可能性。