c轴倾斜CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜的外延生长

摘要

采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上制备出c轴生长CuCr_(1-x)Mg_xO_2(x=0,0.02)薄膜。用X射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(0001)晶面的结晶取向关系为CuCrO_2∥ɑ-Al_2O_3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO_2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差。AFM观察生长在ɑ-Al_2O_3(0001)衬底上的CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加。ρ-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO_2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致。