用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长

摘要

本文报道了硅片在相同的氧化条件中形成不同厚度的SiO_2层。采用注入氮离子进入硅中,将注入与未注入样品在1000℃的炉温中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测SiO_2层的厚度。结果表明,N_2^+离子注入硅样品的氧化层厚度明显薄于非注入样品的氧化层厚度。N_2^+离子注入硅表面在氧化时抑制SiO_2的生长,具有较明显的抗氧化的作用。这项实验说明,采用注入N_2^+离子,同一硅片在相同的氧化条件下开辟选择氧化是可能实现的。