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徐波; 浦寿杰; 顾晓峰; 徐振; 于宗光;
江南大学信息工程学院;
江苏无锡214122;
无锡友芯集成电路设计有限公司;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
江苏无锡214035;
带隙基准; 匹配优化; BiCMOS; 温度补偿;
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:采用分段指数补偿技术的1.3 ppm /℃BiCMOS带隙基准电压源
机译:具有完整温度范围曲率补偿的2.2V 2.9ppm /°C BiCMOS带隙基准电压源
机译:一种使用带隙基准电路的高精度电源检测的改进方法及其在伪BiCMOS工艺中的实现
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:通过微调掺杂工程实现的基于二酮吡咯并吡咯的低带隙聚合物的高热电功率因数
机译:具有高PSRR和高精度的基于BiCMOS的带隙基准电路
机译:基于超导光子带隙(pBG)结构的先进微波频率源和滤波器。
机译:广域电源biCMOS带隙基准电压电路及基准电压提供方法
机译:具有动态元件匹配功能的带隙基准电压源
机译:一种用于带隙基准电路的高汽车电路的操作方法,用于辅助带隙基准电路的启动的方法以及用于执行该方法的电子电路
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