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刘锡田;
北京有色金属研究总院;
单晶材料; 砷化镓; 磷化镓; 化合物半导体;
机译:外延生长的GaP / GaAs_(1-x).P_x / GaP双异质结构纳米线在光学领域的应用
机译:在低温下光照下名义上纯净的单晶GaP,GaAs和4H-SiC半导体中自由载流子的去俘获和重新俘获
机译:GaAs衬底上单晶GaP气相生长的光学和电学性质
机译:Ga 1-x sub> In x sub> P层上应变Ga的生长气源分子束外延生长GaP(001):与GaP(001)的比较GaInAs / GaAs系统
机译:富含Ga的GaAs和GaP(001)表面上有机和无机吸附物的结构,化学和能量学。
机译:GaAs和GaP中反相边界的形成能:从头算研究
机译:在低温下光照下,标称纯单晶Gap,Gaas和4H-siC半导体中自由载流子的去除和回缩
机译:基于BCl3的化学中III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第1部分:Gaas,GaN,Gap,Gasb和alGaas;应用表面科学
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭生产的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶晶片及其制备方法,以及由所述掺Si的GaAs单晶晶片生产的掺Si的GaAs单晶晶片
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