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曾友华; 郭亨群; 王启明;
华侨大学信息科学与工程学院;
中国科学院半导体研究所;
纳米材料; 氮化硅薄膜; 射频磁控反应溅射; 光致发光; 退火;
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:富硅氮化硅薄膜的化学计量对其光致发光和结构性质的影响
机译:氧键对富硅氮化硅薄膜原子结构和光致发光性能的影响
机译:富硅氮化硅热退火制备的氮化硅嵌入硅纳米晶体的光致发光
机译:硅纳米晶体和缺陷状态在硅富硅氮化硅中用于光电应用
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:Tb掺杂富氮氮化硅薄膜的制备及光致发光特性
机译:过渡金属催化的硅氮烷聚合作为制备碳化硅 - 氮化物纤维的途径。先进陶瓷聚合物制备及其向氮化硅纤维转变的先进方法
机译:可重复使用的氮化硅陶瓷坩埚可用于制备单晶或多晶半金属体,例如:来自熔体的硅锭,包括通过热氧化氮化硅陶瓷形成的富氧表面层
机译:有机发光器件,包括具有氧化硅层和富硅氮化硅层的阻挡层
机译:包含阻挡层的有机发光器件,包含氧化硅层和富硅氮化硅层
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