机译:富硅氮化硅薄膜的化学计量对其光致发光和结构性质的影响
ESFM Inst Politecn Nacl, Mexico City 07738, DF, Mexico;
ESFM Inst Politecn Nacl, Mexico City 07738, DF, Mexico;
UPIITA Inst Politecn Nacl, Mexico City 07320, DF, Mexico;
V Lashkaryov Inst Semicond Phys, UA-03028 Kiev, Ukraine;
ICube, F-67037 Strasbourg 2, France;
ICube, F-67037 Strasbourg 2, France;
Silicon; Nanocrystalline; Silicon nitride; Plasma-enhanced chemical vapor deposition; Luminescence; Raman scattering; Transmission electron microscopy;
机译:氧键对富硅氮化硅薄膜原子结构和光致发光性能的影响
机译:化学计量比对富硅氧化物薄膜结构性能的影响
机译:富含Si氮化硅膜的发光改性与化学计量和激发光能
机译:富硅氮化硅热退火制备的氮化硅嵌入硅纳米晶体的光致发光
机译:镧系元素离子注入对氮化硅膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光的影响。
机译:Nd含量对富硅二氧化硅薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:富硅和富氮氮化硅薄膜的强室温光致发光