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林鸿生; 段开敏; 马雷;
中国科学技术大学物理系;
碳化硅; 硅; 薄膜; 异质结太阳能电池; a-SiC:H; 隙态密度分布; 载流子收集;
机译:引入a-SiC:H / a-Si:H异质结太阳能电池并更新薄膜Si:H太阳能电池组件
机译:在p / i界面处具有和不具有a-Si:H缓冲层的a-SiC:H / a-SiGe:H异质结薄膜太阳能电池的特性
机译:异质结太阳能电池异质结构a-SiC / c-Si中的电输运机理全文
机译:基于A-SiC {Sub}×:H电影的基于A-SiC {Sub} X的反表面钝化的A-Si(N +)/ C-Si(P)异质结太阳能电池的电气表征
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:使用嵌入在SiNx薄膜中的P掺杂Si纳米晶体作为发射极制造Si异质结太阳能电池
机译:介绍A-SIC:H / A-Si:H异性结太阳能电池和薄膜Si:H太阳能模块的更新
机译:用于鲁棒微机电系统应用的低应力非晶si3N4 / si衬底上siC薄膜的生长和掺杂
机译:SiC / Si异质结构和Diamond / SiC / Si及其合成方法
机译:异质结构SiC / Si和Diamond / SiC / Si及其合成方法
机译:SiC / Si与通过该方法制造的元素之间的异质结元素的制造方法
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