TFT-AMLCD绝缘层a-SiN_x∶H的制备

摘要

用等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约 1μm的非晶氮化硅 (a SiNx∶H)薄膜 ,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数 ,折射率为 1.8左右 ,光吸收系数为1.2× 10 2 ～ 2× 10 2 cm- 1,相对介电常数为 7～ 8.4 ,电荷面密度为 2 .5× 10 12 ～ 3.1× 10 12 cm- 2 。这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示器 (TFT AMLCD)