Cu_2S阻性存储薄膜的制备及开关特性研究

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)方法于室温下在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)及高导电的Si(111)衬底上制备了Cu2S固体电解质薄膜,后经X-射线衍射、原子力显微技术对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征.通过400℃退火的Cu2S薄膜在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)衬底上取向生长,而在高导电性Si(111)衬底上则无取向生长.最好用聚焦离子束刻蚀技术及PLD方法制备了Cu/Cu2S/Pt及Cu/Cu2S/Si(111)记忆单元,这些记忆单元都显示了较好的电阻开关特性,但是在不同衬底上制备的记忆元的"关态"与"开态"的电阻比表现出较大的差异,这些差异被归结为非反应电极与Cu2S薄膜间的不同界面性质所致.