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无铬相移掩模光刻技术

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本文论述了相移掩模(PSM)提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬 PSM 的制作方法,简述了曝光实验和实验结果.用 NA=0.28的 g 线光刻机得到了0.5μm的实际分辨率.

著录项

来源
《光子学报》 |1996年第4期|328-332|共5页
作者
冯伯儒; 陈宝钦;
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作者单位

中国科学院光电技术研究所开放室;

中国科学院微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
相移掩膜; 无铬; 光刻技术; 大规模集成电路;

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