热氮化形成TiNx/TiSiy/Si结构及其特性研究

摘要

本文通过RBS和AES分析,阐明了硅(单晶硅和多晶硅)衬底上Ti薄膜在氮气氛中退火形成TtNx和TiSiy的规律,并对电学性质作了测量。实验发现,不同退火温度,氮原子在Ti薄膜中的化学状态是不同的。文中讨论了氮气氛中痕量氧对形成TiNx的响影。