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吴少兵; 高建峰; 王维波; 章军云;
南京电子器件研究所;
GaN高电子迁移率晶体管; W波段; 电子束直写; 功率放大器;
机译:Ku波段高功率密度AlGaN / GaN HEMT单片功率放大器
机译:效率超过50%C波段340W,X波段100W类GaN高功率放大器
机译:C-Ku波段GaN HEMT 3x波段高效大功率放大器
机译:适用于5G微电池应用的高效全单片2级C波段GaN功率放大器
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:用于X波段应用的GaN基微波功率放大器的研制
机译:晶圆粘合GaN单片集成电路及晶圆粘结GaN单片集成电路的制造方法
机译:功率放大器的控制方法,装置,GAN功率放大器和GAAS功率放大器
机译:GaN GaN半导体封装,用于包含可伐环的高功率放大器
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