低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

摘要

以单质 Zn,Se 和 H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为 630℃～750℃,压力为 300 Pa～1 000 Pa条件下制备出了性能优异的 ZnSe 多晶材料。性能测试表明,制备出的 CVD ZnSe 多晶材料在 0.55 μm^22 μm, 及 8 μm^14 μm 波段的平均透过率超过 70% (1 mm 厚),在 3.39 μm 处的应力双折射为 54 nm/cm。其光学透过性能与美国采用Zn 和 H2Se 气体为原料制备出的 CVD ZnSe 多晶非常接近。