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彭英才; 马蕾; 康建波; 范志东; 简红彬;
河北大学电子信息工程学院;
LPCVD; 纳米晶粒; 多晶Si膜; 结晶成核; 晶粒融合;
机译:利用Ge纳米晶体作为低压化学气相沉积沉积的电荷俘获层的多晶硅薄膜非易失性存储器
机译:通过低压化学气相沉积,通过低压化学气相沉积和(Bi1-XTex)(3)(2)TE-3薄膜组成可调谐三元(SE1-XTEX)(2)TE-3薄膜
机译:低压化学气相沉积纳米晶多晶硅超薄膜
机译:低压金属化学气相沉积(MOCVD)作为前体的低压金属化学气相沉积(MOCVD)生长氧化铒和氧化钆高k介电薄膜的对比研究
机译:通过热线化学气相沉积法在薄膜光伏应用中合成大晶粒多晶硅。
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:通过低压化学气相沉积,通过低压化学气相沉积(Bi1-xtex)3和(Bi1-ysby)2Te3薄膜
机译:沉积低应变LpCVD(低压,化学气相沉积)多晶硅
机译:低压化学气相沉积多晶硅薄膜沉积反应器
机译:低压化学气相沉积多晶硅薄膜沉积的真空系统
机译:贵金属化合物薄膜和贵金属薄膜的化学气相沉积方法以及制备化学气相沉积的有机金属化合物和化学气相沉积的金属有机化合物的方法
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