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杨全魁; 李爱珍; 陈建新;
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室;
异质外延错向角; x射线衍射; 测量方法; 半导体;
机译:异质外延GaN薄膜中位错诱发应变对x射线衍射,拉曼和光致发光线展宽的定量评估
机译:外延层倾斜对具有不对称位错密度的均匀异质结构动态X射线衍射的影响
机译:异质外延半导体中位错密度不对称的X射线表征
机译:低温卤代碳外延生长和选择性外延生长中的位错和三角缺陷
机译:氮化镓在图案化和蒙版蓝宝石衬底上的纳米异质外延以减少位错
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:位错限制的异质外延硅太阳能电池的加氢。
机译:通过快速热处理形成异质外延层以去除晶格位错
机译:多孔鳍片作为顺应性介质形成无位错异质外延膜
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