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中国科学院近代物理研究所;
半导体纳米线; 输运性质; InSb; 电学性质; 美国南加州大学; 近代物理研究所; 材料制备; 科研人员;
机译:InAs,InSb和GaSb N沟道纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管在弹道输运极限中的性能比较
机译:InSb-InAs纳米线Ⅲ型异质结的电学性质和能带图
机译:分子束外延生长InAs1-xSbx和InSb纳米线的电学性质
机译:多栅极梯度纳米线沟道MOSFET的静电学和输运性能研究
机译:InSb-InAs纳米线III型异质结的电学性质和能带图。
机译:非晶态InSb纳米线的合成及激光辐射和热退火对纳米线结晶度影响的研究
机译:Gaas和其他III-V半导体化合物上金属的形态,化学和电学性质的基础研究
机译:用于确定围绕钻孔钻井的地层的性质的设备,用于确定围绕钻孔钻井的地层的性质的方法,用于围绕钻孔探头的地质地层(GF)的电学研究的设备。宝石(BH),以及围绕钻孔(BH)的电气研究地质构造(GF)的方法
机译:通过电子束扫描研究半导体中的近表面电子性质
机译:圆谱法分析材料,生物组织,身体,装置和系统的电学性质及其在医疗,工业和科学研究等领域的应用
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