电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法

摘要

电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。