总气压对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响

摘要

用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定电源功率、氩气流量 4 2 .6sccm、氧流量 15sccm、溅射时间 30min的条件下 ,通过控制总气压改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer12 0 0测量 ,当总气压增加时薄膜的平均反射率降低 ,同时反射低谷向短波方向移动 ,总气压对消光系数k影响不大 ;随着总气压的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势 ,但当总气压达到一定量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现 ,随着总气压的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变 ,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。