Si^+注入GaAs快速退火中的P^+共注入

摘要

本文报导了用卤素灯作加热源的快速退火系统研究Si^+注入高纯SI-GaAs的快速退火特性,得到了良好的注入激活层,发现P^+共注入可改善Si^+注入层的质量,得到了4600～4700cm^2/V·s的迁移率和75～85％的激活率,这一结果优于没有P^+共注入的情况。PLTS测试显示深能级的浓度有所降低,数量有所减少。我们认为磷原子占据砷空位使得激活率和平均霍尔迁移率提高。用这种退火方法制成了6GHz下输出功率为0.5W,相关增益为3.5dB的功率MESFET。