溶胶水热法制备FTO纳米晶体薄膜及其电学性能研究

摘要

以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件。结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂。F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率。并且在氟锡摩尔比F/Sn为3∶10时,晶体薄膜表面方块电阻最低,为35Ω/□,载流子浓度为2.8×1016/cm3,迁移率为31 cm2/V·s。