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陈亮; 亢勇; 赵德刚; 李向阳; 龚海梅;
传感技术国家重点实验室;
中国科学院上海技术物理研究所;
上海200083;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
感应耦合等离子体; 铝镓氮; X射线光电子能谱; 损伤;
机译:Cl2 / BCl3辅助的GaN和AlGaN / GaN的反应离子刻蚀
机译:通过对BCl3 / Cl-2进行ICP刻蚀,凹入SiC的AlGaN / GaN HEMT的DC和RF特性
机译:Cl_2 / SiCl_4 / Ar等离子体对AlGaN / GaN SLs的反应离子刻蚀特性及n-GaN的刻蚀损伤研究
机译:BCl3 / Cl2 / Ar中In1-x-yAlxGayAs的电感耦合等离子体刻蚀
机译:用于加工铌超导射频空腔的氩气和Ar / Cl2等离子体的表征
机译:Pt2(DTBPA)Cl2(II)和Pt2(TPXA)Cl2(II)通过各种交联方式与DNA结合的研究
机译:在BCl3 / ar和Cl2 / ar中的III-V锑化物的电感耦合等离子体蚀刻;真空科学与技术杂志
机译:利用bcl3和cl2制造蓝色发光器件的方法
机译:使用能够对高介电材料使用BCl3气体和添加性气体进行原子层刻蚀的中空束刻蚀设备的原子层刻蚀方法
机译:使用硬掩模和CL2 / N2 / O2和CL2 / CHF3 / O2化学对IR和PZT进行等离子体刻蚀
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